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- [发明专利]防止铜扩散的方法-CN201210113569.X有效
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周鸣
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2012-04-17
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2013-10-30
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H01L21/768
- 一种防止铜扩散的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层、以及位于所述介质层内且表面暴露出来的铜互连线；通过惰性气体等离子体对所述铜互连线表面进行轰击。本发明防止铜扩散的方法通过惰性气体等离子体对形成于半导体衬底上介质层内的铜互连线表面进行轰击，使铜互连线内部的应力释放，细化铜互连线内部晶粒的大小，防止铜互连线中铜原子发生应力迁移；另外，通过惰性气体等离子体对铜互连线进行轰击还可以使铜互连线的表面非晶化，使铜原子不易沿晶面方向发生迁移，提高了包含所述铜互连线的器件的电学性能。
- 防止扩散方法
- [发明专利]一种制备高导电性铜互连线的方法-CN201911293091.1在审
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陈张发;曾绍海
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上海集成电路研发中心有限公司
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2019-12-16
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2020-05-12
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H01L21/768
- 本发明公开了一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，包括如下步骤：S01：在介质层中刻蚀通孔；S02：在所述通孔中依次沉积铜阻挡层和铜籽晶层；S03：在所述铜籽晶层上生长铜，形成位于所述通孔中的铜互连层；S04：将石墨烯前驱体注入所述铜互连层中，从而在通孔中形成铜/石墨烯复合互连线。本发明提供的一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，该方法基于成熟的铜互连工艺，形成铜/石墨烯复合互连线，可以有效解决随着技术节点向下延伸，互连线中铜电阻变大，无法达到芯片对其导电性要求的问题；并且石墨烯在铜晶界表面生成，可以有效保护金属铜，避免铜被氧腐蚀，延长复合互连线使用寿命，减少不必要的电阻。
- 一种制备导电性互连方法
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